Большая Советская Энциклопедия (цитаты)

Фотопроводимость

Фотопроводимость (далее Ф) фоторезистивный эффект, увеличение электропроводности полупроводника под действием электромагнитного излучения. Впервые Ф наблюдалась в У. Смитом (США) в 1873. Обычно Ф обусловлена увеличением концентрации носителей тока под действием света (концентрационная Ф). Она возникает в результате нескольких процессов: фотоны "вырывают" электроны из валентной зоны и "забрасывают" их в зону проводимости (рис. 1), при этом одновременно возрастает число электронов проводимости и дырок (собственная Ф); электроны из заполненной зоны забрасываются на свободные примесные уровни – возрастает число дырок (дырочная примесная Ф); электроны забрасываются с примесных уровней в зону проводимости (электронная примесная Ф). Возможно комбинированное возбуждение Ф "собственным" и "примесным" светом: "собственное" возбуждение в результате последующих процессов захвата носителей приводит к заполнению примесных центров и, следовательно, к появлению примесной Ф (индуцированная примесная Ф). Концентрационная Ф может возникать только при возбуждении достаточно коротковолновым излучением, когда энергия фотонов превышает либо ширину запрещенной зоны (в случае собственной и индуцированной Ф), либо расстояние между одной из зон и примесным уровнем (в случае электронной или дырочной примесной Ф).

  В той или иной степени Ф обладают все неметаллические твердые тела. Наиболее изучена и широко применяется в технике Ф полупроводников , , , , , , , и др. Величина концентрационной Ф пропорциональна квантовому выходу h (отношению числа образующихся носителей к общему числу поглощенных фотонов) и времени жизни неравновесных (избыточных) носителей, возбуждаемых светом (фотоносителей). При освещении видимым светом h обычно меньше 1 из-за "конкурирующих" процессов, приводящих к поглощению света, но не связанных с образованием фотоносителей (возбуждение экситонов, примесных колебаний кристаллической решетки и др.). При облучении вещества ультрафиолетовым или более жестким излучением h > 1, т.к. энергия фотона достаточно велика, чтобы не только вырвать электрон из заполненной зоны, но и сообщить ему кинетическую энергию, достаточную для ударной ионизации. Время жизни носителя (т. е. время, которое он в среднем проводит в свободном состоянии) определяется процессами рекомбинации. При прямой (межзонной) рекомбинации фотоэлектрон сразу переходит из зоны проводимости в валентную зону. В случае рекомбинации через примесные центры электрон сначала захватывается примесным центром, а затем попадает в валентную зону. В зависимости от структуры материала, степени его чистоты и температуры время жизни может меняться в пределах от долей сек до 10-8 сек.

  Зависимость Ф от частоты излучения определяется спектром поглощения полупроводника. По мере увеличения коэффициента поглощения Ф сначала достигает максимума, а затем падает. Спад Ф объясняется тем, что при большом коэффициенте поглощения весь свет поглощается в поверхностном слое проводника, где очень велика скорость рекомбинации носителей (поверхностная рекомбинация, рис. 2).

  Возможны и др. виды Ф, не связанные с изменением концентрации свободных носителей. Так, при поглощении свободными носителями длинноволнового электромагнитного излучения, не вызывающего межзонных переходов и ионизации примесных центров, происходит увеличение энергии ("разогрев") носителей, что приводит к изменению их подвижности и, следовательно, к увеличению электропроводности. Такая подвижностная Ф убывает при высоких частотах и перестает зависеть от частоты при низких частотах. Изменение подвижности под действием излучения может быть обусловлено не только увеличением энергии носителей, но и влиянием излучения на процессы рассеяния электронов решеткой.

  Изучение Ф – один из наиболее эффективных способов исследования свойств твердых тел. Явление Ф используется для создания фоторезисторов, чувствительных и малоинерционных приемников излучения в очень широком диапазоне длин волн – от g-лучей до диапазона сверхвысоких частот.

 

  Лит.: Рывкин С. М., Фотоэлектрические явления в полупроводниках, М., 1963; Стильбанс Л. С., Физика полупроводников, М., 1967; см. также лит. при ст. Полупроводники.

  Э. М. Эпштейн.



Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска


Новости 05.07.2022 06:04:00