|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Фоторезист | Фоторезист (далее Ф) (от фото... и англ. resist – сопротивляться, препятствовать), полимерный светочувствительный слой, нанесенный на поверхность полупроводниковой пластины с окисной пленкой. Ф используются в полупроводниковой электронике и микроэлектронике (см., например, Планарная технология) для получения на пластине "окон" заданной конфигурации, открывающих доступ к ней травителя. В результате экспонирования Ф через наложенный на него стеклянный шаблон нужного рисунка ультрафиолетовым излучением (иногда электронным лучом) свойства его меняются: либо растворимость Ф резко уменьшается (негативный Ф), либо он разрушается и становится легко удалимым (позитивный Ф). Последующая обработка растворителем образует в Ф "окна" на необлученных участках негативного Ф или облученных участках позитивного Ф Типичные Ф: негативные – слои поливинилового спирта с солями хромовых кислот или эфирами коричной кислоты, слои циклизованного каучука с добавками, вызывающими "сшивание" макромолекул под действием света; позитивные – феноло- или крезолоформальдегидная смола с о-нафтохинондиазидом. См. также Фотолитография.
Лит.: Фотолитография и оптика, М. – Берлин, 1974; Мазель Е. З., Пресс Ф П., Планарная технология приборов, М., 1974.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
