|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Травление | Травление (далее Т) в технике, растворение поверхности твердых тел с практической целью (в отличие от коррозии). Различают Т технологическое — для обработки и изменения формы поверхности металлов, полупроводников, стекла, древесины и др. материалов, и структурное — для выявления структуры материалов (см. Металлография, Минералогия).
Технологическое Т (чаще всего применяется, например, для очистки от окалины или для получения требуемого вида поверхности металлических полуфабрикатов, при лужении, пайке. Т типографских клише заключается в обработке кислотой участков металлических (преимущественно пластины, не защищенных кислотоупорным слоем; при Т эти участки оказываются углубленными. Подобное Т для создания необходимого профиля поверхности широко распространено в современной технологии полупроводниковых приборов, для изготовления интегральных схем (см. также Микроэлектроника) и печатных плат в электронике (см. Печатные схемы). Для получения нужного рисунка схемы на полупроводниковые или покрытые металлической фольгой ( href="http://Ni-Nickel.info/" title="Nickel">никелевой и др.) печатные платы наносится стойкий слой диэлектрика, а свободные от него участки подвергаются Т, например для удаления металлического слоя. Т полупроводниковых материалов — важная операция при изготовлении полупроводниковых приборов и в эпитаксиальной технологии (см. Эпитаксия) — для очистки поверхности от загрязнений и окислов; для удаления нарушенного слоя после механической обработки и контролируемого удаления материала с целью получения пластин заданной толщины с совершенной поверхностью; для контролируемого изменения поверхностных свойств; для создания нужного рельефа на поверхности пластин (например, для вытравливания лунок при изготовлении различного типа сплавных и поверхностно-барьерных транзисторов); для ограничения площади р—n-переходов в готовых диодных и триодных структурах. Стекло подвергают Т для образования на нем рисунка или матовой поверхности, дерево — для придания не свойственного ему вида. Электрохимическое Т успешно применяется для металлов и сплавов, Т которых затруднено ( жаропрочные сплавы), а также для полупроводников. Преимущества электрохимического Т по сравнению с — чистота поверхности (на ней не остается никакого осадка) и чрезвычайная гибкость в управлении процессом.
Структурное Т — протравливание полированных шлифов материалов, поверхности слитков и полуфабрикатов, граней или сколов различными реактивами; при этом выявляются особенности и фазового состава и строения, которые можно наблюдать невооруженным глазом (макроструктура) или с помощью микроскопа (микроструктура). Структурное Т используется для научных исследований, в прикладной минералогии (в том числе для диагностики рудных минералов) и в промышленности — для контроля структуры при производстве металлов, сплавов, полупроводников и диэлектриков. По симметрии фигур Т на гранях определяют ориентацию Метод фигур Т успешно применяется главным образом в технологии полупроводников, для выявления дефектов в кристаллах; малоугловых и двойниковых границ, дислокаций и дефектов упаковки.
Лит.: Жадан В. Т, Гринберг Б. Г., Никонов В. Я., Технология металлов и других конструкционных материалов, 2 изд., М., 1970; Т полупроводников, пер. с англ., М., 1965; Справочник по печатным схемам, пер. с англ., М., 1972; Коваленко В. С., Металлографические реактивы. Справочник, 2 изд., М., 1973; Курносов А. И., Юдин В. В., Технология производства полупроводниковых приборов, М., 1974; Пшеничнов Ю. П., Выявление тонкой структуры Справочник, М., 1974.
Г. В. Инденбаум.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
