|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Полупроводниковый гетеропереход | Полупроводниковый гетеропереход (далее П), контакт двух различных по составу полупроводников. На границе раздела изменяется обычно ширина запрещенной зоны DE, подвижность носителей тока, их эффективные массы и др. характеристики полупроводников. В "резком" П изменение свойств происходит на расстоянии, сравнимом или меньшем, чем ширина области объемного заряда (см. Электронно-дырочный переход). В зависимости от легирования обеих сторон П можно создать р-n-гетеропереходы (анизотипные), р-р- и n-n-гетеропереходы (изотипные). Комбинации различных П и р-n-переходов образуют гетероструктуры.
Идеальная стыковка решеток в П возможна лишь при совпадении типа, ориентации и периода решеток сращиваемых материалов. Кроме того, в идеальном П граница раздела должна быть свободна от структурных и др. дефектов (дислокаций, заряженных центров и т.п.) и механических напряжений. Наиболее широко применяются монокристаллические П между полупроводниковыми соединениями типа A и их твердыми растворами на основе арсенидов, фосфидов и антимонидов и . Благодаря близости ковалентных радиусов и изменение состава происходит без изменения периода решетки. Изготовление монокристаллических П и гетероструктур стало возможным благодаря развитию методов эпитаксиального наращивания полупроводниковых
П используются в различных полупроводниковых приборах: полупроводниковых лазерах, светоизлучающих диодах, фотоэлементах, оптронах и т.д.
Лит.: Алферов Ж. И., Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего, в кн.: Физика сегодня и завтра, под ред. В. М. Тучкевича, Л., 1973; Елисеев П. Г., Инжекционные лазеры на гетеропереходах, "Квантовая электроника", 1972, № 6; Алферов Ж. И., Инжекционные гетеролазеры, в сборнике: Полупроводниковые приборы и их применение, под ред. Я. Федотова, в. 25, М., 1971.
Ж. И. Алферов.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
