|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Фоторезистор | Фоторезистор (далее Ф) полупроводниковый прибор, характеризующийся свойством изменять свое электрическое сопротивление под действием оптического излучения (см. Фотопроводимость). Через Ф, включенный в электрическую цепь, содержащую источник постоянного тока, протекает электрический ток. При облучении Ф ток увеличивается в результате появления фототока, который пропорционален уровню воздействующего сигнала и не зависит от полярности приложенного к Ф напряжения. Появление фототока (или вызванного им изменения напряжения на Ф) используется для регистрации излучений (см. Приемники излучения, Приемники света, Оптрон).
Для изготовления Ф используют , , (чистый либо легированный , или ), , , , , , , , , . Характерная особенность этих полупроводниковых материалов – малая ширина запрещенной зоны (например, у она составляет 0,18 эв). Полупроводник наносят в виде тонкого слоя на стеклянную или кварцевую подложку либо вырезают в виде тонкой пластинки из монокристалла. Слой (пластинку) снабжают двумя контактами (электродами). Подложку с фоточувствительным слоем (или пластинку) и электроды помещают в защитный корпус.
Важнейшие параметры Ф: интегральная чувствительность (определяемая как отношение изменения напряжения на единицу мощности падающего излучения при номинальном значении напряжения питания) составляет 103–108 в/вт; порог чувствительности (величина минимального сигнала, регистрируемого Ф, отнесенная к единице полосы рабочих частот) достигает 10-12вт/гц1/2 постоянная времени (характеризующая инерционность Ф) лежит в пределах 10-3–10-8 сек. Для повышения порога чувствительности и расширения рабочего диапазона длин волн принимаемого излучения фоточувствительный слой некоторых Ф подвергают охлаждению. Так, охлаждение Ф из до 78 К позволяет на порядок повысить пороговую чувствительность и расширить диапазон длин волн принимаемого излучения с 3,3 мкм до 5 мкм; глубоким охлаждением (до 4 К) Ф из , легированного , доводят границу его спектральной чувствительности до 40 мкм.
Лит.: Марков М, Н., Приемники инфракрасного излучения, М., 1968; Аксененко М. Д., Красовский Е. А., Фы, М., 1973.
И. Ф Усольцев. |
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
|
|
Новости 31.10.2025 16:03:33
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
