|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Скрытое фотографическое изображение | Скрытое фотографическое изображение (далее С) невидимое изменение, возникающее в светочувствительном материале при действии на него оптического излучения и преобразуемое в процессе фотографической обработки в воспринимаемое человеческим глазом изображение Для этого преобразования, называемого визуализацией, в классической фотографии используют способность С в фотографических эмульсиях катализировать (см. ниже) реакции восстановления галогенидов ( Hal, Hal º , , , чаще всего ) до ; в электрофотографии — способность С электростатически притягивать частицы пигмента и т. д.
В приведенном определении С выделено лишь его основное свойство — служить причиной возникновения и предшественником видимого изображения. Такое определение является общим для самых различных процессов его образования (фотохимические изменения в светочувствительных солей, поперечной "сшивки" молекул в светочувствительных полимерах, изменения под действием света распределения поверхностного заряда в поляризованных или заряженных диэлектриках или объемного заряда в полупроводниках и пр.).
С представляет собой "записью изображения предметов или другой оптической информации (спектра, интерференционной картины и т. д.). Последующее рассматривание этой записи глазом в принципе необязательно — считывать записанную информацию можно непосредственно со С (например, голографически или электронным лучом). Однако при любом способе такого считывания С дает сигнал намного более слабый, чем полученное из него видимое изображение, его уровень недостаточно превышает уровень помех; как следствие — его помехоустойчивость низка. Кроме того, С не всегда достаточно стабильно во времени, чтобы длительно сохранять его без визуализации.
В наиболее распространенном фотографическом процессе на слоях эмульсий AgHal в желатине С образуют малые группы , расположенные в отдельных точках поверхности или объема микрокристаллов AgHal, — т. н. центры С Эти группы ( в них еще не связаны в решетку) возникают следующим образом. Под действием экспонирующего света в полупроводниковых микрокристаллах AgHal происходит внутренний фотоэффект: электроны ионов галогенида высвобождаются. Кроме того, в AgHal всегда заранее присутствует некоторое число свободных подвижных ионов +,"выбитых" со своих мест в результате тепловых колебаний (тепловое расшатывание решетки). Электростатически притягиваясь друг к другу, свободные электроны и ионы рекомбинируют (см. Рекомбинация ионов и электронов) — возникают нейтральные . Этот процесс локализуется там, где на поверхности микрокристаллов расположены различные нарушения структуры решетки AgHal, прежде всего. примесные частицы (в частности 2), образующиеся еще при изготовлении фотоэмульсии. Формирование центров С на каждом таком нарушении представляет собой многократное повторение двух элементарных актов: захвата фотоэлектрона из объема микрокристалла (электронная стадия) и электростатического притяжения к электрону подвижного иона + (ионная стадия). При малых освещенностях фотослоя 1-я стадия протекает медленно (электроны поступают редко), и образовавшийся нейтральный может ионизоваться прежде, чем освободится следующий фотоэлектрон. Тем самым вероятность образования центра С, обязательно состоящего не из одного, а из нескольких замедляется, что служит причиной понижения светочувствительности с увеличением выдержки (см. Невзаимозаместимости явление).
В ходе проявления фотографического (визуализации С) экспонированные микрокристаллы AgHal восстанавливаются до металлического . Один из компонентов проявителя (проявляющее вещество) адсорбируется на микрокристаллах и передает им электроны, сам при этом окисляясь. Такая передача электронов возможна только при наличии центров С, которые должны находиться в контакте с молекулами проявляющего вещества (т. е. на поверхности микрокристаллов). В отсутствие центров С реакция восстановления не протекает; следовательно, они играют в этой реакции роль катализаторов. Каждый раз, когда центр С заряжается, приобретая электрон, этот заряд нейтрализуется одним из ближайших ионов +, и процесс превращения AgHal в продолжается до полного восстановления микрокристалла. Т. о., визуализация в случае галоген фотоэмульсий в огромной степени увеличивает количество продукта первичной фотохимической реакции.
Квантовый выход образования С в микрокристаллах AgHal (отношение числа образовавшихся нейтральных к числу поглощенных квантов излучения) близок к 1.
Следовательно, для возникновения центра. С, содержащего обычно от нескольких до нескольких десятков один микрокристалл AgHal должен в среднем поглотить от 10 до 100 квантов. После восстановления (проявления) микрокристалл содержит 108—1010 , что соответствует коэффициенту усиления до 109 (по отношению к числу поглощенных квантов). Усиление С происходит и в других фотографических процессах, но далеко не в такой степени. Поэтому обычный процесс на эмульсионных слоях AgHal непревзойден по чувствительности, хотя по некоторым показателям (например, по изобразительным характеристикам) он уступает ряду других предложенных (к 1976), процессов.
Лит.: Мейкляр П. В., Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения, М., 1972; Миз К., Джеймс Т., Теория фотографического процесса, пер. с англ., Л., 1973.
Л. Л. Картужанский.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
